英特尔CPU功耗将大降9成

hnuyl

英特尔开发全新复合硅晶体技术 处理器功耗可大降九成

　　英特尔最新的研究报告中透露，全新的物料P-Channel及N-Channel硅晶体组合，可以协助处理器减低所需功耗，未来的处理器的耗电量甚至可以是现下处理器的十分之一，性能肯定能够得到进一步提升，系统体积同样可进一步缩小。该电晶体是一种复合型半导体，也称为“III-V”材料，因为它就是采用在周期表中位于第四周期表的硅，据研究指出它拥有极高的效率及极低电阻表现。而英特尔早前与透露的采用“III-V”物料的N-Channel 晶体管，同样将会使用在处理器工艺技术上。

　　据英特尔指出，当P-Channel Transistor及N-Channel Transistor复合应用后，所制造出的CMOS逻辑晶片比传统物料可减低一半的电压，而且功耗更可降低至只有目前功耗的十分之一。此研发创新技术将会首先用于处理器量产中，可令处理器效率进一步提高，容许更复杂的设计及减低了因功耗而出现的散热问题，系统体积也可以因此进一步缩小。当前，英特尔已经开始进行论证上述材料量产的可能性，有望可以在未来数年内实现创新

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2009-4-13 23:29

xynulsx

那是好现象

liuxingzixin

会降那么多吗？？？？希望吧

雪叶青灵

这技术还早呢，5年吧大概

天地遥昭

这个很好啊。。。可以很好的降温了。。。

hitlove

好要几年 才能市场化

xulb

功耗能降下来很不错啊

yannic

三五族化合物半导体很早就在半导体行业提出来了，但是一直没有大规模应用于芯片制造，个中缘由我也不太清楚，可能是出于漏电流的技术关卡。
   CMOS电路原理上是可以极大降低电路功耗的，因为任何时刻只有一个导通，也就是说：当N管沟道导通时，P管沟道是处于截止状态的，所以这种电路叫做互补电路。
    现在因特尔的电路最小尺寸可以做到45纳米，也就是说，沟道上方的绝缘层厚度是45纳米（好像是沟道长度是45纳米，我记不太清楚了），尺寸越小，功耗越低。
    但是英特尔CPU最大的障碍是漏电流的问题，这是他采用的材料工艺所限制的，漏电流越大，浪费的功耗越多，且发热越大。
    AMD由于采用了与英特尔不同的衬底工艺，所以AMD的CPU天然就有抗漏电流的本领，呵呵，喜欢超频的朋友肯定喜欢AMD的CPU。

[ 本帖最后由 yannic 于 2009-4-14 09:06 编辑 ]

longwt

好技术，好现象，呵呵

zhangeddie_07

什么时候才能用上啊